[发明专利]陶瓷基板型发光二极管的封装结构及其制程

摘要

本发明公开了一种陶瓷基板型发光二极管的封装结构及其制程，该制程包含有钻孔程序、充填程序、金属镀膜程序、组装程序、真空扩散融合程序、蚀刻程序及封装程序，借由真空扩散融合程序封装陶瓷基板型发光二极管，此陶瓷基板型发光二极管的封装结构可同时具有电路导电区与散热区，可达到最好的散热效果。

主权项

一种陶瓷基板型发光二极管的封装制程，其特征在于，该陶瓷基板型发光二极管的封装制程包含：进行钻孔程序以便在陶瓷基板上穿透形成孔洞；进行充填程序以在所述孔洞内形成金属填充材；进行金属镀膜程序以在所述陶瓷基板的表面上形成金属镀层；进行组装程序以便于将上金属板与下金属板分别置于所述陶瓷基板的上下表面的所述金属镀层上，并形成组装陶瓷基板；进行真空扩散融合程序以形成陶瓷复合基板，且所述孔洞内的金属填充材与所述上金属板以及所述下金属板融合成一体；进行蚀刻程序以在所述陶瓷复合基板的上金属板上形成电路导电区，且于所述孔洞位置上蚀刻至所述陶瓷基板的表层为止；与进行封装程序以在所述陶瓷复合基板的所述孔洞位置的表层上封装发光二极管芯片，并借由原陶瓷材料做绝缘将所述陶瓷复合基板分为所述电路导电区与位于所述下金属板的散热区。