[发明专利]半导体衬底的制造方法

摘要

本发明涉及半导体衬底的制造方法。避免在埋入到沟槽内部的外延膜中产生空隙。包括如下步骤：在衬底主体(63)的表面生长第一外延膜(61)；在该第一外延膜(61)上形成多个第一沟槽(64)；在第一沟槽(64)的内部整体生长第二外延膜(62)；研磨第二外延膜(62)使其平坦；进一步在平坦的第二外延膜(62)的上表面生长与第一外延膜(61)相同组成的第三外延膜(66)；在该第三外延膜(66)上形成多个第二沟槽(67)，使第一沟槽(64)延长；在第二沟槽(67)的内部整体进一步生长第四外延膜(68)；研磨所述第四外延膜(68)使其平坦。

主权项

一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在衬底主体(63)的表面上生长第一外延膜(61)；(b)部分地刻蚀该第一外延膜(61)，形成多个第一沟槽(64)；(c)在所述多个第一沟槽(64)的内部整体以及所述多个第一沟槽(64)以外的所述第一外延膜(61)的表面，生长第二外延膜(62)；(d)研磨所述第二外延膜(62)，使所述第一外延膜(61)的表面露出，并且使埋入到所述多个第一沟槽(64)内部整体中的所述第二外延膜(62)的上表面平坦；(e)在平坦后的所述第二外延膜(62)的上表面和所露出的所述第一外延膜(61)的表面，进一步生长与所述第一外延膜(61)相同组成的第三外延膜(66)；(f)对该第三外延膜(66)的与所述多个第一沟槽(64)相对应的部分进行刻蚀，形成多个第二沟槽(67)，由此，使所述多个第一沟槽(64)延长；(g)在所述多个第二沟槽(67)的内部整体以及所述多个第二沟槽(67)以外的所述第三外延膜(66)的表面，进一步生长第四外延膜(68)；(h)研磨所述第四外延膜(68)，使所述第三外延膜(66)的表面露出，并且，使埋入到所述多个第二沟槽(67)内部整体中的所述第四外延膜(68)的上表面平坦。