[发明专利]具有背侧扩散掺杂的背侧照明(BSI)图像传感器无效
| 申请号： | 200910215865.9 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101794730A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 真锅宗平 | 申请（专利权）人： | 全视科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及一种具有背侧扩散掺杂的背侧照明图像传感器。一方法的实施例包含：在衬底的前侧上形成像素；将所述衬底薄化；在所述经薄化衬底的背侧上沉积经掺杂硅层；以及使掺杂剂从所述经掺杂硅层扩散到所述衬底中。一种设备的实施例包含：形成于经薄化衬底的前侧上的像素；形成于所述经薄化衬底的背侧上的经掺杂硅层；以及在所述经薄化衬底中且在所述背侧附近的区域，其中掺杂剂已从所述经掺杂硅层扩散到所述经薄化衬底中。揭示并主张其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 掺杂 照明 bsi 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：在衬底的前侧上形成像素；将所述衬底薄化；在所述经薄化衬底的背侧上沉积经掺杂硅层；以及使掺杂剂从所述经掺杂硅层扩散到所述衬底中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全视科技有限公司，未经全视科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910215865.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
