[发明专利]抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法

摘要

本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。

主权项

1.一种抗蚀剂下层组合物，包含：由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物；以及溶剂：[化学式1][R¹]₃Si-(CH₂)_nR²其中，在上述化学式1中，三个R¹相同或不同，并且可以是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基、烷基胺基、烷基甲硅烷基胺基、或烷基硅氧烷基，n的范围为0至5，且R²是蒽基或萘基，[化学式2]其中，在上述化学式2中，R³至R⁵相同或不同，并且可以是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基、烷基胺基、烷基甲硅烷基胺基、或烷基硅氧烷基，且m的范围为1至10，[化学式3][R⁶]₃Si-R⁷-Si[R⁶]₃其中，在上述化学式3中，六个R⁶相同或不同，并且可以是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基、烷基胺基、烷基甲硅烷基胺基，或烷基硅氧烷基，且R⁷是蒽、萘、联苯撑(-Ph-Ph-)、三联苯撑(-Ph-Ph-Ph-)、或四联苯撑(-Ph-Ph-Ph-Ph-)，[化学式4][R⁸]₃Si-R⁹在上述化学式4中，三个R⁸相同或不同，并且可以是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基、烷基胺基、烷基甲硅烷基胺基，或烷基硅氧烷基，且R⁹是H或C1至C6烷基，以及[化学式5][R¹⁰]₃Si-X-Si[R¹⁰]₃其中，在上述化学式5中，六个R¹⁰相同或不同，并且可以是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基、烷基胺基、烷基甲硅烷基胺基，或烷基硅氧烷基，X是直链或支链的取代或未取代的亚烃基；或在其主链上包括亚烯基、亚炔基、杂环基、脲基，或异氰脲酸酯基的亚烃基。