[发明专利]抗蚀剂下层组合物及利用其制造半导体集成电路装置的方法有效
| 申请号： | 200910215519.0 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101770175A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 赵显模;金相均;禹昌秀;金美英;高尚兰;尹熙灿;李雨晋;金钟涉 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 下层 组合 利用 制造 半导体 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种抗蚀剂下层组合物，包括：从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂，[化学式1][R1]3Si-[Ph1]l-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3其中在化学式1～5中，Ph1是取代或未取代的亚苯基，Ph2是取代或未取代的苯基，R1和R2相同或不同地是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基团、烷基胺基团、烷基硅烷基胺基团或烷基硅烷基氧基团，R3是取代或未取代的C6～C12芳基，R4是氢或C1～C6烷基，X是直链或支链的取代或未取代亚烷基；或在其主链上包括亚烯基、亚炔基、杂环基、脲基或异氰酸酯基的亚烷基，l和m相同或不同地是1～4的整数，并且n为0或1～5的整数。
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