[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910209089.1 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101728435A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;H01L21/203;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是改善使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率。另一个目的是即使在具有改善了场效应迁移率的薄膜晶体管中也能够抑制在截止电流上的增加。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，通过将具有比氧化物半导体层更高导电率和更小厚度的半导体层形成于氧化物半导体层和栅绝缘层之间，可以改善薄膜晶体管的场效应迁移率，并且可以抑制截止电流上的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅电极层；在所述栅电极层的上方的栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方的半导体层；在所述半导体层的上方的氧化物半导体层；和在所述氧化物半导体层的上方的源和漏电极层，所述源和漏电极层电连接到所述氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包含铟、镓、和锌，所述半导体层的厚度小于所述氧化物半导体层的厚度，以及所述半导体层的导电率高于所述氧化物半导体层的导电率。
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