[发明专利]在集成电路器件中形成精细图案的方法

摘要

本发明提供了一种在集成电路器件中形成精细图案的方法。一种制造集成电路器件的方法包括分别在特征层的第一和第二区域上形成第一和第二掩模结构。每个掩模结构包括双掩模图案和蚀刻掩模图案。各向同性蚀刻第一和第二掩模结构的蚀刻掩模图案，以从第一掩模结构移除蚀刻掩模图案并保留蚀刻掩模图案在第二掩模结构上的至少一部分。在第一和第二掩模结构的相对侧壁上形成间隔物。采用蚀刻掩模图案在第二掩模结构上的部分作为掩模将第一掩模结构从第一区域的间隔物之间选择性地移除，以分别在第一和第二区域中限定第一和第二掩模图案。分别采用第一和第二掩模图案作为掩模来图案化特征层以在第一区域上限定第一特征并在第二区域上限定第二特征。

主权项

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：分别在特征层的第一区域和第二区域上形成第一掩模结构和第二掩模结构，所述第一掩模结构和所述第二掩模结构中的每个包括双掩模图案和在该双掩模图案上的蚀刻掩模图案，该蚀刻掩模图案相对于所述双掩模图案具有蚀刻选择性；各向同性蚀刻所述第一掩模结构和所述第二掩模结构的蚀刻掩模图案，以从所述第一掩模结构移除蚀刻掩模图案并保留蚀刻掩模图案在所述第二掩模结构上的至少一部分；在所述第一掩模结构和所述第二掩模结构的相对侧壁上形成间隔物；以及采用蚀刻掩模图案在所述第二掩模结构上的部分作为掩模来从所述第一区域的间隔物之间选择性地移除所述第一掩模结构，以在所述第一区域中限定第一掩模图案并在所述第二区域中限定第二掩模图案，所述第一掩模图案包括相对的侧壁间隔物并且在相对的侧壁间隔物之间具有空隙，所述第二掩模图案包括相对的侧壁间隔物并且所述第二掩模结构在相对的侧壁间隔物之间。