[发明专利]在集成电路器件中形成精细图案的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

分别在特征层的第一区域和第二区域上形成第一掩模结构和第二掩模 结构，所述第一掩模结构和所述第二掩模结构中的每个包括双掩模图案和在 该双掩模图案上的蚀刻掩模图案，该蚀刻掩模图案相对于所述双掩模图案具 有蚀刻选择性；

在同一蚀刻步骤中各向同性蚀刻所述第一掩模结构和所述第二掩模结 构两者的蚀刻掩模图案，以从所述第一掩模结构移除蚀刻掩模图案并且从所 述第二掩模结构部分地移除蚀刻掩模图案，从而保留蚀刻掩模图案在所述第 二掩模结构上的至少一部分；

在所述第一掩模结构和所述第二掩模结构的相对侧壁上形成间隔物；以 及

采用蚀刻掩模图案在所述第二掩模结构上的部分作为掩模来从所述第 一区域的间隔物之间选择性地移除所述第一掩模结构，以在所述第一区域中 限定第一掩模图案并在所述第二区域中限定第二掩模图案，所述第一掩模图 案包括相对的侧壁间隔物并且在相对的侧壁间隔物之间具有空隙，所述第二 掩模图案包括相对的侧壁间隔物并且所述第二掩模结构在相对的侧壁间隔 物之间。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

采用所述第一掩模图案作为掩模来图案化所述特征层以在所述第一区 域上限定第一特征，并采用所述第二掩模图案作为掩模来图案化所述特征层 以在所述第二区域上限定第二特征，该第二特征具有比所述第一特征大的宽 度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在各向同性蚀刻之前，所述第二掩 模结构的蚀刻掩模图案的厚度大于所述第一掩模结构的蚀刻掩模图案的宽 度的一半。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述间隔物包括：

在所述第一掩模结构和所述第二掩模结构上形成间隔物掩模层，所述间 隔物掩模层相对于所述蚀刻掩模图案和／或所述双掩模图案具有蚀刻选择性； 以及

蚀刻所述间隔物掩模层以分别暴露所述第一掩模结构和所述第二掩模 结构在其相对的侧壁之间的表面；

以及其中选择性地移除所述第一掩模结构包括：

采用蚀刻掩模图案在所述第二掩模结构上的部分作为掩模来蚀刻所述 第一掩模结构和所述第二掩模结构的暴露表面，以移除所述第一掩模结构的 双掩模图案而不移除所述第二掩模结构的双掩模图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一掩模结构和所述第二 掩模结构包括：

在基板的所述第一区域和所述第二区域上形成双掩模层；

在所述双掩模层上形成所述蚀刻掩模图案，所述蚀刻掩模图案包括在所 述第一区域中的双掩模层上的第一部分和在所述第二区域中的双掩模层上 的第二部分，该第二部分比所述第一部分宽；以及

采用所述蚀刻掩模图案作为掩模来图案化所述双掩模层，以在所述第一 区域上限定所述第一掩模结构并在所述第二区域上限定所述第二掩模结构， 该第二掩模结构的宽度大于所述第一掩模结构的宽度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述蚀刻掩模图案包括：

在所述基板的所述第一区域和所述第二区域上的所述双掩模层上形成 蚀刻掩模层；

在所述蚀刻掩模层上形成掩模图案，该掩模图案包括所述第一区域上的 第一部分和所述第二区域的第二部分；以及

采用所述掩模图案来图案化所述蚀刻掩模层以在所述双掩模层上限定 所述蚀刻掩模图案。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述双掩模层包括含硅层和含碳层 中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一区域包括存储单元的有源 区域，以及其中所述第二区域包括外围电路区域。