[发明专利]光传感器无效
| 申请号： | 200910207352.3 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101728402A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 清水正男;寺阪麻理子;中川慎也;鹈饲茂和 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L23/552;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光传感器，具有电磁屏蔽用的导电膜并且在与光检测区域相对的区域将电磁屏蔽用的导电膜除去，其中，在与光检测区域相对的区域也能够不使电磁干扰侵入。本发明的光传感器在硅基板(12)的表层部形成有光电二极管(13)和IC电路(15)。在硅基板(12)的上表面隔着绝缘层(16)而形成有遮光金属(18)，IC电路(15)被遮光金属(18)覆盖。在与光电二极管(13)相对的区域，在遮光金属(18)上开设受光窗(19)，受光窗(19)被导电性滤光片(32)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
一种光传感器，通过具有遮光性的导电膜将除了光检测区域之外的元件形成区域覆盖，通过具有透光性的导电膜将所述光检测区域覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
