[发明专利]光传感器

说明书

技术领域

本发明涉及光传感器，具体而言，涉及具有将电磁波干扰遮断的功能的光传感器。

背景技术

光传感器具有将光电二极光(PD)和输出放大用的IC电路等组装到硅基板上的结构。在这样的光传感器中，使用可检测出可见光到近红外光的波长区域的光的光电二极管，为了可由光电二极管仅检测出其中的特定波长区域的光，在光电二极管的上部设有滤光片。

图1是示意地表示上述光传感器的现有构造的剖面图。图2(a)～(c)、图3(a)、(b)以及图4(a)、(b)是说明该光传感器的制造工序的剖面图。以下，通过依次对该光传感器11的制造工序进行说明，同时对光传感器11的构造进行说明。

首先，使用半导体制造技术在P型硅基板12的表面层制作光电二极管13、接地用的接触区域14(P+型扩散层)、IC电路15等。然后，如图2(a)所示，通过由SiO₂构成的绝缘层16覆盖硅基板12的上表面。如图2(b)所示，在与接触区域14的上表面相对的位置、在绝缘层16上开设通孔，并且将金属、聚硅酮等导电性材料填充到该通孔内而形成导电端子17，对导电端子17进行热处理而使其与接触区域14欧姆接触。如图2(c)所示，在绝缘层16的上表面通过AlSi等遮光材料形成遮光金属18，通过遮光金属18将IC电路15的上方遮蔽并且经由导电端子17使遮光金属18与接触区域14导通。

另外，如图3(a)所示，通过光刻技术在光电二极管13的上方、在遮光金属18上开设受光口19。如图3(b)所示，在遮光金属18的上表面形成由SiO₂构成的绝缘层20。如图4(a)所示，在绝缘层20的整个上表面形成滤光片21，然后如图4(b)所示，在与光电二极管13上方相对的位置留有滤光片21，通过蚀刻等将其他区域的滤光片21除去，制造目标光传感器11。

在这样的光传感器11中，利用将接触区域14与接地线连接而电气接地的电磁屏蔽用遮光金属18将IC电路15的上方覆盖，因此，如图1所示，能够由遮光金属18将来自外部的电磁干扰α遮蔽，能够防止由电磁干扰α引起的IC电路15的误动作。另外，这样地通过遮光金属覆盖IC电路的上方的构成公开在专利文献1中。

由于在遮光金属18上与光电二极管13相对而开设有受光窗19，故而来自外部的入射光通过受光窗19而射入光电二极管13并被光电二极管13检测出。另外，虽然光电二极管13自身对可见光至近红外光的波长区域的光具有灵敏度，但是，滤光片21仅使入射光La中特定波长区域的光Lb(例如红外光)透过且使其他波长区域的光Lc反射，故而能够通过光电二极管13仅检测到特定波长区域Lb的光。另外，在专利文献2中公开有使用滤光片限制射入到光检测区域的光的波长的结构。

专利文献1：(日本)特开平11-40790号公报

专利文献2：(日本)特开平7-170366号公报

但是，在图1所示那样构造的光传感器11中，在与光电二极管13相对的位置、在遮光金属18上开设有受光窗19，故而电磁干扰β会通过受光窗19而侵入遮光金属18的内侧。因此，在工厂内等电磁干扰多的场所，通过受光窗19后的电磁干扰β引起光电二极管13及接触区域14产生误动作。由此，不适合在工厂内部等电磁干扰多的场所使用，用途被限制。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种光传感器，具有电磁屏蔽用的导电膜并且在与光检测区域相对的区域将电磁屏蔽用的导电膜除去，其中，在与光检测区域相对的区域也能够不使电磁干扰侵入。

为了解决上述问题，本发明的光传感器通过具有遮光性的导电膜将除了光检测区域之外的元件形成区域覆盖，通过具有透光性的导电膜将所述光检测区域覆盖。

根据本发明的光传感器，由于利用具有遮光性的导电膜将除了光检测区域之外的IC电路等元件形成区域覆盖，故而光和电磁干扰不到达IC电路等，能够防止由来自外部的光和电磁干扰引起的IC电路等的误动作。

另外，由于利用具有透光性的导电膜将光电二极管和光敏晶体管等光检测区域覆盖，故而从外部射入的光透过具有透光性的导电膜而被光检测区域检测出，但是，电磁干扰被具有透光性的导电膜遮蔽，并且能够更可靠地将电磁干扰屏蔽，可防止光检测区域和IC电路等的误动作。

由此，根据本发明的光传感器，在如工厂内部这样地电磁干扰多的场所也能够使用。

本发明的光传感器的一方面，所述具有透光性的导电膜具有滤光特性。根据该方面，能够在光检测区域有选择地检测出特定波长(区域)的光。