[发明专利]存取半导体存储设备的存储系统和方法有效
| 申请号： | 200910205766.2 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101673581A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李在修;卢羌镐;赵原熙;沈昊俊;崔永准;许在训;宋济赫;赵承德;金善择;吴文旭;朴钟泰;朴赞益;千源汶;李洋燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存取 半导体 存储 设备 存储系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个多电平单元；以及控制单元，被配置为确定将要存储在存储器单元阵列中的数据的特性，其中，控制单元被配置为基于该确定选择多个多位编程方法之一，其中，根据所选择的多位编程方法将数据存储在存储器单元阵列中，并且当存在最高有效位(MSB)数据的编程失败时，多个多位编程方法的至少之一包含最低有效位(LSB)数据。
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