[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910205713.0 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101667547A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 朴炳俊;金相熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/82;H01L27/146;H01L23/12;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。制造CMOS图像传感器的方法包括：形成基板结构，该基板结构包括第一基板、第二基板以及在第一基板和第二基板之间的氧化层和含氮的指数匹配层；在第二基板中形成至少一个感光器件；以及在形成基板结构之后，在第二基板的第一表面上形成金属互连结构，第一表面朝向远离第一基板，使得至少一个感光器件在金属互连结构与指数匹配层和氧化层之间，金属互连结构电连接到至少一个感光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，该方法包括：形成基板结构，该基板结构包括第一基板、第二基板以及在所述第一基板与所述第二基板之间的氧化层和含氮的指数匹配层；在所述第二基板中形成至少一个感光器件；在形成所述基板结构之后，在所述第二基板的第一表面上形成金属互连结构，所述第一表面朝向远离所述第一基板，使得所述至少一个感光器件在所述金属互连结构与所述指数匹配层和所述氧化层之间，所述金属互连结构电连接到所述至少一个感光器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
