[发明专利]DDDMOS及其制造方法有效
| 申请号： | 200910201835.2 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102064193A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 高翔 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DDDMOS，是将传统DDDMOS漏极的轻掺杂区变为环状轻掺杂区，从而使漏极的重掺杂区与阱直接接触。所述DDDMOS作为高压电路的静电保护结构时，电压击穿发生在漏极的重掺杂区和阱之间。本发明还公开了所述DDDMOS的制造方法，是在进行漏极的轻掺杂区的离子注入步骤时，采用仅暴露出环状离子注入窗口的掩膜版或阻挡层。本发明DDDMOS具有击穿电压小、触发导通电压小、不容易发生早期失效的优点。 | ||
| 搜索关键词： | dddmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种DDDMOS，其特征是，包括：衬底(10)；阱(11)，在衬底(10)之上，且与衬底(10)的掺杂类型相同；轻掺杂区(20)，在阱(11)中，且与阱(11)的掺杂类型相反；所述环状轻掺杂区(20)的水平剖面图为环状；隔离结构(131、132)，在阱(11)中；隔离结构(133)，在阱(11)和/或轻掺杂区(20)中；栅极(14)，在阱(11)之上；侧墙(15)，在栅极(14)两侧；重掺杂区(161)，在阱(11)中且在两个隔离结构(131、132)之间，与阱(11)的掺杂类型相同但掺杂浓度更大；重掺杂区(162)，在阱(11)中且在侧墙(15)的一侧和隔离结构(132)之间，与轻掺杂区(20)的掺杂类型相同但掺杂浓度更大；重掺杂区(163)，在阱(11)和/或轻掺杂区(20)中，且在侧墙(15)的另一侧和隔离结构(133)之间，并且与侧墙(15)的另一侧不直接接触，与轻掺杂区(20)的掺杂类型相同但掺杂浓度更大；所述重掺杂区(163)的部分底部与阱(11)直接接触，重掺杂区(163)与阱(11)直接接触的部分不与隔离结构(133)直接接触；所述重掺杂区(162)为源极，重掺杂区(163)和轻掺杂区(20)一起构成了漏极。
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