[发明专利]超高频硅锗异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 200910201691.0 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102044560A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高频硅锗异质结双极晶体管，包括有一集电区、一基区和一发射区。集电区通过离子注入工艺形成于一N型深阱中，N型深阱是通过在硅半导体衬底上通过N型杂质离子注入形成的。集电区两侧由场氧化层隔离，在场氧化层中用刻蚀工艺开口形成一场氧化层深阱，一集电极通过氧化层深阱接触而引出。基区包括一本征基区和一外基区，由硅锗外延层形成，本征基区和集电区相连接。发射区形成于所述本征基区上并和所述本征基区相连接，由多晶硅外延层形成。本发明能大幅度的减少器件的面积，能够减少工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超高频 硅锗异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：包含：一集电区，通过离子注入工艺形成于一N型深阱中，所述N型深阱是通过在硅半导体衬底上注入N型杂质离子而形成的，所述集电区两侧由场氧化层隔离，在场氧化层中用刻蚀工艺开口形成一场氧化层深阱，一集电极通过氧化层深阱接触而引出；一基区，包括一本征基区和一外基区，由硅锗外延层形成，所述本征基区和所述集电区相连接，所述外基区用于形成基区电极；一发射区，形成于所述本征基区上并和所述本征基区相连接，由多晶硅外延层形成。
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