[发明专利]超高频硅锗异质结双极晶体管

权利要求书

1.一种超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：包含：

一集电区，通过离子注入工艺形成于一N型深阱中，所述N型深阱是通过在硅半导体衬底上注入N型杂质离子而形成的，所述集电区两侧由场氧化层隔离，在场氧化层中用刻蚀工艺开口形成一场氧化层深阱，一集电极通过氧化层深阱接触而引出；

一基区，包括一本征基区和一外基区，由硅锗外延层形成，所述本征基区和所述集电区相连接，所述外基区用于形成基区电极；

一发射区，形成于所述本征基区上并和所述本征基区相连接，由多晶硅外延层形成。

2.如权利要求1所述的超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：所述N型深阱杂质离子能够选择磷、砷或锑，注入剂量范围为1e13～1e15cm^-2，注入能量范围200keV～1000KeV。

3.如权利要求1所述的超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：所述N型深阱在所述SiGe异质结双极晶体管中能够采用对称注入或非对称，要求能完全覆盖集电极和集电区。

4.如权利要求1所述的超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：所述场氧化层深阱在刻蚀后用自对准方法注入高浓度的N型杂质，形成一集电极欧姆接触。

5.如权利要求1或4所述的超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：在所述场氧化层深阱中采用钛/氮化钛过渡金属和金属钨填入，金属层淀积能采用PVD或CVD方式，钛/氮化钛的厚度范围分别为100～500埃和50～500埃。

6.如权利要求1所述的超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：所述基区是通过光刻工艺定义其窗口位置及其大小的，在定义所述基区窗口时采用到两层薄膜材料，这两层薄膜材料的刻蚀速率相差很大，为了保护集电区和基区之间的界面，第一层薄膜通常选择氧化硅，第二层薄膜能选择多晶硅或者氮化硅，第一层薄膜厚度为100～500埃，第二层薄膜厚度为200～1000埃。

7.如权利要求1或6所述的超高频硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：利用光刻工艺制作所述基区窗口时，先刻蚀所述第二层薄膜，完好地停止在所述第一层薄膜上，然后带光刻胶进行N型离子注入形成所述集电区，该注入可以是一次注入也可以是多次注入，需保证因注入而形成的所述集电区与所述N型深阱区相连，注入杂质选择磷、砷或者锑，注入剂量由器件击穿电压和特征频率要求决定。