[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910199444.1 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102082126A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底和浅隔离沟槽结构硅片，在PMOS和NMOS区域上形成栅氧化层和栅电极；在PMOS和NMOS的栅电极上分别形成间隙绝缘层，在衬底背面形成第一绝缘层；在间隙绝缘层上形成间隙壁，在第一绝缘层背面形成第二绝缘层；在硅片上形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层上形成第一高应力诱发层；干法刻蚀PMOS区域上的第一高应力诱发层并用标准清洗液清洗硅片后退火，形成第二高应力诱发层；干法刻蚀第二高应力诱发层。由于采用干法刻蚀工艺刻蚀第二高应力诱发层，避免现有刻蚀工艺将第二绝缘层去除。第一绝缘层和第二绝缘层将衬底与机台隔离，避免等离子体处理过程中从栅电极向衬底产生放电破坏栅电极，造成半导体器件等离子体损伤问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供已包括衬底和浅隔离沟槽结构的硅片，分别在PMOS和NMOS区域上形成栅氧化层和栅电极；在PMOS和NMOS的栅电极上分别形成间隙绝缘层，在衬底背面形成第一绝缘层；在间隙绝缘层上形成间隙壁，并在第一绝缘层背面形成第二绝缘层；在硅片正面形成蚀刻停止层，接着在蚀刻停止层上形成第一高应力诱发层；干法刻蚀PMOS区域上的部分第一高应力诱发层并用标准清洗液清洗硅片并高温退火，形成第二高应力诱发层；干法刻蚀NMOS区域上第二高应力诱发层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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