[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910199444.1 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102082126A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：
提供已包括衬底和浅隔离沟槽结构的硅片，分别在PMOS和NMOS区域上形成栅氧化层和栅电极；
在PMOS和NMOS的栅电极上分别形成间隙绝缘层，在衬底背面形成第一绝缘层；
在间隙绝缘层上形成间隙壁，并在第一绝缘层背面形成第二绝缘层；
在硅片正面形成蚀刻停止层，接着在蚀刻停止层上形成第一高应力诱发层；
干法刻蚀PMOS区域上的部分第一高应力诱发层并用标准清洗液清洗硅片并高温退火，形成第二高应力诱发层；
干法刻蚀NMOS区域上第二高应力诱发层。
2.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一绝缘层的成分为SiO2。
3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的成分为SiN。
4.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一高应力诱发层和第二高应力诱发层的成分为SiN。
5.如权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述SiN的形成条件为：源气体的气压为5.5～6.5torr；功率为30～80w；所采用的源气体为SiH4、NH3与N2的混合气体，SiH4气体流速为20～30sccm，NH3气体流速为20～100sccm，N2气体流速为15000～25000sccm，温度400～450摄氏度，压力为950MPa。
6.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层的成分为SiO2，形成厚度为100～200埃。
7.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一高应力诱发层、第二高应力诱发层和蚀刻停止层的步骤采用的是干法刻蚀工艺。
8.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的形成条件为：采用一组包括CF4、BCl3、CH2F2、CHF3和N2的气体中选用的混合气体进行的反应性离子刻蚀，刻蚀时间为10～50秒，刻蚀所需工作温度为15～35摄氏度。
9.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一和第二高应力诱发层相对于所述蚀刻停止层的干法刻蚀选择率为50∶1。
10.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述标准清洗液清洗硅片采用浓度为29％的氨水、浓度为30％双氧水以及水按1∶2∶50的比例组成的混合物。
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