[发明专利]基于SOI的电容

摘要

本发明提供一种基于SOI的电容，所述电容置于绝缘层上硅上，所述电容包括：第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。所述绝缘层上硅包括：背衬底；在所述背衬底的表面上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的半导体层；在所述半导体层内形成的沟槽氧化物等。本发明的电容以绝缘层上硅为衬底，使得所述电容与衬底之间不再含有导电的金属，并去除对应所述电容位置的背衬底，从而降低导电的金属连线或者金属层与电容耦合形成的杂散电容。

主权项

一种基于SOI的电容，其特征在于：所述电容置于绝缘层上硅上，所述电容包括：第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。