[发明专利]一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法

摘要

本发明涉及用于半导体器件制备的薄膜淀积技术。具体涉及一种利用原子层淀积技术在衬底上选择性生长硅，锗硅及其衍生物薄膜的方法。本发明针对由半导体晶片和不同密度图形的氧化物薄膜组成的衬底，在生长过程中，将衬底加热到预定温度，利用原子层淀积的方法在表面生长薄膜，通过在原子层淀积的反应前体中掺杂HCl或者在工艺过程中独立的引入HCl的脉冲来实现在氧化层上薄膜生长的抑制效应。本发明在选定的区域内淀积薄膜，而不在其他不需要的地方淀积；能够解决传统选择性淀积生长在不同密度图形的表面的负载效应的薄膜淀积方式；不需要使用传统的光刻技术，以及因为使用传统的光刻技术而需要引入的后续薄膜刻蚀工艺。

主权项

一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法，其特征在于，针对由半导体晶片和不同密度图形的氧化物薄膜组成的衬底，在生长过程中，将衬底加热到预定温度，利用原子层淀积的方法在表面生长薄膜，通过在原子层淀积的反应前体中掺杂一种气体或者在工艺过程中独立的引入一种气体的脉冲来实现在氧化层上薄膜生长的抑制效应；所述的抑制效应是在半导体表面进行选择性的薄膜生长而在绝缘体表面不发生生长。