[发明专利]增大PMOS核心器件的工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 200910196423.4 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102034709A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 居建华;刘兵武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增大PMOS核心器件的工艺窗口的方法。该方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层之后，对所形成的多晶硅层进行第一次离子注入过程；对所述栅氧化层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧墙；进行浅离子注入工艺，以形成浅掺杂漏区，并在上述第一侧墙的外侧形成第二侧墙；进行深源/漏区离子注入工艺；在所述深源/漏区离子注入工艺中包括第一次源/漏区离子注入过程和第二次源/漏区离子注入过程；在所形成的栅、源和漏区上沉积高应力氮化物层，并进行欧姆接触工艺和顶层金属布线工艺。使用本发明所提供的方法，可增大PMOS核心器件的工艺窗口，提高产品的良率，节省工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 pmos 核心 器件 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种增大PMOS核心器件的工艺窗口的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层之后，对所形成的多晶硅层进行第一次离子注入；对所述栅氧化层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧墙；进行浅离子注入工艺，以形成浅掺杂漏区，并在上述第一侧墙的外侧形成第二侧墙；进行深源/漏区离子注入工艺；在所述深源/漏区离子注入工艺中包括第一次源/漏区离子注入和第二次源/漏区离子注入；在所形成的栅、源和漏区上沉积高应力氮化物层，并进行欧姆接触工艺和顶层金属布线工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
