[发明专利]增大PMOS核心器件的工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种增大PMOS核心器件的工艺窗口的方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层之后，对所形成的多晶硅层进行第一次离子注入；

对所述栅氧化层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧墙；

进行浅离子注入工艺，以形成浅掺杂漏区，并在上述第一侧墙的外侧形成第二侧墙；

进行深源/漏区离子注入工艺；在所述深源/漏区离子注入工艺中包括第一次源/漏区离子注入和第二次源/漏区离子注入；

在所形成的栅、源和漏区上沉积高应力氮化物层，并进行欧姆接触工艺和顶层金属布线工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在对所形成的多晶硅层和栅氧化层进行第一次离子注入时，所使用的离子为硼B离子；

其中，所述硼离子的能量区间为：4～8Kev，所述硼离子的剂量区间为：10¹³～10¹⁴/cm²。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述深源/漏区离子注入工艺中的第一次源/漏区离子注入中，所使用的离子为氟化硼BF₂离子；

其中，所述氟化硼离子的能量为：4～10Kev，所述氟化硼离子的剂量为：5×10¹⁴～5×10¹⁵/cm²。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述深源/漏区离子注入工艺中的第二次源/漏区离子注入中，所使用的离子为硼B离子；

其中，所述氟化硼离子的能量为：1～3Kev，所述硼离子的剂量为：10¹⁴～2×10¹⁵/cm²。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还进一步包括：

在进行所述的深源/漏区离子注入工艺之后，进行快速热退火工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还进一步包括：

在进行所述的浅离子注入工艺之后，进行快速热退火工艺。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于：

所述快速热退火工艺为激光退火工艺。