[发明专利]浅槽隔离结构的制作方法无效
| 申请号： | 200910196128.9 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101673703A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 易亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；淀积氧化层，并通过刻蚀去除部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，此时浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化，同时部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，并形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除硬掩膜层、多晶硅缓冲掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；在所述硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角被充分圆化，同时所述浅沟槽两侧的部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除硬掩膜层和多晶硅缓冲掩膜层，以暴露出自对准牺牲氧化物；去除衬底上的衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
