[发明专利]一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法有效
| 申请号： | 200910196101.X | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101671538A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张泽芳;刘卫丽;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/02;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：1)在硅溶胶中加入有机添加剂，搅拌溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；2)将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；3)反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最终制得氧化硅/氧化铈复合磨粒。采用本发明制得的氧化硅/氧化铈核壳复合磨料中没有均相成核的氧化铈粒子，该复合磨粒适用于超大规模集成电路和玻璃的化学机械抛光，其优点是有效提高抛光去除率和选择比，并可以降低表面的粗糙度，消除划痕等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：1)在硅溶胶中加入有机添加剂并溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；2)将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；3)反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最终制得氧化硅/氧化铈复合磨粒。
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