[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910195631.2 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102024681A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高大为;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件(诸如CMOS、MOS、BiCMOS)的方法。该方法包括：提供具有表面区域的半导体衬底，该表面区域具有一种或多种杂质。该一种或多种杂质至少包括碳化物。该表面区域还具有上覆的氧化层。使用湿法刻蚀工艺处理表面区域，以选择性地去除上覆的氧化层并露出包括一种或多种杂质的表面区域。在小于1秒的时间周期内使表面区域经受具有范围从约300纳米至约800纳米的波长的高能电磁辐射，以使表面区域的温度升高到大于1000摄氏度，以去除设置在表面区域上的一种或多种杂质。去除高能电磁辐射以在小于1秒的时间周期内使温度降低到约300摄氏度至约600摄氏度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的半导体衬底，所述表面区域具有一种或多种杂质，所述一种或多种杂质至少包括碳化物，所述表面区域具有上覆的氧化层；选择性地去除所述氧化层，并露出包括所述一种或多种杂质的所述表面区域；在小于1秒的时间周期内使所述表面区域经受具有范围从约300纳米至约800纳米的波长的高能电磁辐射，以使所述表面区域的温度升高到大于1000摄氏度，以去除设置在所述表面区域上的所述一种或多种杂质；去除所述高能电磁辐射，在小于1秒的时间周期内使所述表面区域的温度降低到约300摄氏度至约600摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
