[发明专利]具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管无效
| 申请号： | 200910194800.0 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005513A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马平;丁成;刘慰华;李刚 | 申请（专利权）人： | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 201616*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有低温p型氮化镓层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在InGaN/GaN多量子阱活性发光层与p型AlGaN电子阻挡层之间生长一层低温p型氮化镓层，从而从界面上将InGaN/GaN多量子阱活性发光层与p型AlGaN电子阻挡层以物理方式分隔开。结果表明，通过设置该低温p型氮化镓层，氮化镓系发光二极管的发光强度和反向击穿电压得到较大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低温 gan 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系发光二极管，其包括：衬底；缓冲层，其位于所述衬底上；n型接触层，其位于所述缓冲层上，由n型氮化镓构成；活性发光层，其位于所述n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由氮化铟镓薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多量子阱结构所构成；负电极，其位于所述n型接触层未被所述活性发光层覆盖的上表面上；p型电子阻挡层，其位于所述活性发光层上，由氮化铝镓构成；p型接触层，其位于所述p型电子阻挡层上，由p型氮化镓构成；以及正电极，其位于所述p型接触层上并覆盖所述p型接触层的部分表面；其特征在于，所述氮化镓系发光二极管还包括厚度为20nm～100nm的低温p型氮化镓层，所述低温p型氮化镓层在所述活性发光层与所述p型电子阻挡层之间，并且所述低温p型氮化镓层的下表面与所述活性发光层中的氮化镓薄层接触。
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