[发明专利]Y方向没有OD间隙影响的标准单元

摘要

一种集成电路结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的第一有源区；位于半导体衬底中并具有和所述第一有源区相反导电类型的第二有源区。栅极带位于第一有源区和第二有源区上方，并与所述第一有源区和所述第二有源区分别形成第一金属氧化物半导体器件和第二金属氧化物半导体器件。第一间隔条位于所述半导体衬底中并连接到所述第一有源区上。至少部分的所述第一间隔条与部分的所述第一有源区相邻并分离开。第二间隔条位于所述半导体衬底中并连接到所述第二有源区上。至少部分的所述第二间隔条与部分的所述第二有源区相邻并分离开。

主权项

一种集成电路结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一有源区；位于所述半导体衬底中并具有和所述第一有源区相反导电类型的第二有源区；位于所述第一有源区和所述第二有源区上方的栅极带，所述栅极带与所述第一有源区和所述第二有源区分别形成第一金属氧化物半导体器件和第二金属氧化物半导体器件；位于所述半导体衬底中并连接到所述第一有源区的第一间隔条，其中至少部分的所述第一间隔条与部分的所述第一有源区相邻并分离开；以及位于所述半导体衬底中并连接到所述第二有源区的第二间隔条，其中至少部分的所述第二间隔条与部分的所述第二有源区相邻并分离开。