[发明专利]具有局部互连的半导体器件有效
| 申请号： | 200910173417.7 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101677102A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;郑光茗;锺升镇;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/52;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 梁 永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有局部互连的半导体器件。所述半导体器件包括：布置在衬底上并且基本上在同一直线上的第一栅线结构和第二栅线结构。第一对源/漏区域被形成在第一栅线结构的两侧上的衬底里，并且，第二对源/漏区域被形成在第二栅线结构的两侧上的衬底里。一对导线被布置在第一栅线结构和第二栅线结构的两侧上的衬底上，这样，每一根导线被连接到第一对源/漏区域中的一个区域和第二对源/漏区域中的一个区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 互连 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有局部互连的半导体器件，包括：布置在衬底上并且基本上在同一直线上的第一栅线结构和第二栅线结构；形成在第一栅线结构的两侧上的衬底里的第一对源/漏区域，以及，形成在第二栅线结构的两侧上的衬底里的第二对源/漏区域；和布置在第一栅线结构和第二栅线结构的两侧上的衬底上的一对导线，这样，每一根导线被连接到第一对源/漏区域中的一个区域和第二对源/漏区域中的一个区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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