[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底上方形成第一互连，所述第一互连由第一金属膜制成；(b)在所述第一互连上方形成第一层间绝缘膜；(c)在所述第一层间绝缘膜中形成用于连接到所述第一互连的第一过孔；(d)在所述第一层间绝缘膜中形成用于连接到所述第一过孔的第一互连沟槽；(e)在所述第一互连沟槽和所述第一过孔中填充第二金属膜，以便一起形成第二互连和第一连接部分；(f)在所述第二互连和所述第一层间绝缘膜上方形成第三互连，所述第三互连由第三金属膜制成；(g)在所述第三互连上方形成第二层间绝缘膜；(h)在所述第二层间绝缘膜中形成用于连接到所述第二互连的第二过孔；(i)在所述第二层间绝缘膜中形成用于连接到所述第二过孔的第二互连沟槽；以及(j)在所述第二互连沟槽和所述第二过孔中填充第四金属膜，以便一起形成第四互连和第二连接部分，其中，所述第二层间绝缘膜的厚度大于所述第一层间绝缘膜的厚度，其中，所述第二互连沟槽的深度大于所述第一互连沟槽的深度，其中，所述第二层间绝缘膜通过形成于其中的停止膜而被分开，其中，在所述步骤(i)中，使用所述停止膜作为蚀刻停止层来形成所述第二互连沟槽，其中，在所述步骤(d)中，在不使用蚀刻停止层的情况下形成所述第一互连沟槽，其中，所述第一层间绝缘膜的介电常数低于所述第二层间绝缘膜的介电常数，其中，所述第二过孔的直径大于所述第一过孔的直径，其中，所述第一层间绝缘膜具有第一阻挡绝缘膜，所述第一阻挡绝缘膜的作用在于防止铜的扩散，并且所述第一阻挡绝缘膜与所述第一互连的表面接触且包括Si、C和N，以及其中，所述第二层间绝缘膜具有第二阻挡绝缘膜，所述第二阻挡绝缘膜的作用在于防止铜的扩散，并且所述第二阻挡绝缘膜与所述第三互连的表面接触。