[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910169198.5 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101656229A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 堀田胜彦;屉原乡子 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)在半导体衬底上方形成第一级互连，所述第一级互连由第 一金属膜制成；
(b)在所述第一级互连上方形成第一层间绝缘膜；
(c)在所述第一层间绝缘膜中形成用于连接到所述第一级互连 的第一过孔；
(d)在所述第一层间绝缘膜中形成用于连接到所述第一过孔的 第一互连沟槽；
(e)在所述第一互连沟槽和所述第一过孔中填充第二金属膜， 以便形成第二级互连；
(f)在所述第二级互连上方形成第二层间绝缘膜；
(g)在所述第二层间绝缘膜中形成用于连接到所述第二级互连 的第二过孔；
(h)在所述第二层间绝缘膜中形成用于连接到所述第二过孔的 第二互连沟槽；
(i)在所述第二互连沟槽和所述第二过孔中填充第三金属膜， 以便形成第三级互连；
(j)在所述第三级互连上方形成第三层间绝缘膜；
(k)在所述第三层间绝缘膜中形成用于连接到所述第三级互连 的第三过孔；
(l)在所述第三层间绝缘膜中形成用于连接到所述第三过孔的 第三互连沟槽；以及
(m)在所述第三互连沟槽和所述第三过孔中填充第四金属膜， 以便形成第四级互连，
其中，所述第三层间绝缘膜的厚度大于所述第一层间绝缘膜的厚 度，
其中，所述第三互连沟槽的深度大于所述第一互连沟槽的深度，
其中，所述第三层间绝缘膜通过形成于其中的停止膜而被分开，
其中，在所述步骤(l)中，使用所述停止膜作为蚀刻停止层来 形成所述第三互连沟槽，
其中，在所述步骤(d)中，在不使用蚀刻停止层的情况下形成 所述第一互连沟槽，
其中，所述第一层间绝缘膜的介电常数低于所述第三层间绝缘膜 的介电常数，
其中，所述第三过孔的直径大于所述第一过孔的直径，
其中，在所述第一层间绝缘膜与所述第一级互连之间形成第一阻 挡绝缘膜，所述第一阻挡绝缘膜的作用在于防止铜的扩散，并且所 述第一阻挡绝缘膜与所述第一级互连的表面接触且由SiCN膜制成， 以及
其中，在所述第三层间绝缘膜与所述第三级互连之间形成第二阻 挡绝缘膜，所述第二阻挡绝缘膜的作用在于防止铜的扩散，并且所 述第二阻挡绝缘膜与所述第三级互连的表面接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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