[发明专利]共轭二烯系聚合物、共轭二烯系聚合物组合物及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910168301.4 申请日: 2009-08-27
公开(公告)号: CN101659731A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 大岛真弓 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C08F236/04 分类号: C08F236/04;C08F8/42;C08L47/00;C08F236/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱 丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种共轭二烯系聚合物,其具有基于共轭二烯的结构单元和式(I)所示的结构单元,利用具有式(II)所示的键及/或式(III)所示的键的硅化合物改性聚合物的至少一端而成。本发明还提供一种共轭二烯系组合物,其含有共轭二烯聚合物和填料。本发明还提供一种共轭二烯系聚合物的制造方法,具有下述工序A及工序B。(工序A):在烃溶媒中,利用碱金属催化剂,使共轭二烯与含有式(V)所示的乙烯系化合物的单体发生聚合,从而得到在具有基于共轭二烯的单体单元和基于式(V)所示的乙烯系化合物的单体单元的聚合物链的至少一端具有来自该催化剂的碱金属的聚合物的工序。(工序B):使在工序A中得到的聚合物与具有式(II)所示的键及/或式(III)所示的键的硅化合物发生反应的工序。
搜索关键词: 共轭 二烯系 聚合物 组合 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种共轭二烯系聚合物,其特征在于,具有基于共轭二烯的结构单元和下式(I)所示的结构单元,并且,该共轭二烯系聚合物是利用具有下式(II)所示的键及/或下式(III)所示的键的硅化合物来改性聚合物的至少一端而形成的,式(I)中,X1、X2及X3分别独立地表示下式(Ia)所示的基、羟基、烃基或取代烃基,X1、X2及X3中的至少1个为下式(Ia)所示的基或羟基,式(Ia)中,R1及R2分别独立地表示碳原子数为1~6的烃基、碳原子数为1~6的取代烃基、甲硅烷基或取代甲硅烷基,R1及R2也可以键合而与氮原子一起形成环结构,
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