[发明专利]用于蚀刻氧化硅层的组合物、使用其蚀刻半导体器件的方法及用于蚀刻半导体器件的组合物有效
| 申请号： | 200910164078.6 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101643648A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 金古恩;李晓山;朴明国;梁浩锡;韩政男;洪昌基 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明;张 英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 氧化 组合 使用 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，包括：氟化氢；阴离子型聚合物；以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，所述阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且相对于氮化物层，所述组合物具有约80或更高的针对所述氧化硅层的蚀刻选择比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第一毛织株式会社;三星电子株式会社，未经第一毛织株式会社;三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910164078.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种永磁同步电机转子
- 下一篇：一种注塑机用六极电机转子冲片
