[发明专利]光电元件与制程无效
| 申请号： | 200910163747.8 | 申请日： | 2009-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101997009A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 徐新惠;钱河清;陈经纬;黄森煌 | 申请（专利权）人： | 原相科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/028;H01L21/82;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电元件与制程，该光电元件包含：基板；位于基板内的一区域，此区域的材料与该基板材料不同；以及以离子植入法形成于该基板区域中的光二极管。该区域的材料例如为锗化硅(Si1-xGex)或碳化硅(Si1-yCy)，其中0＜x、y＜1。该制程包含：提供一个基板；蚀刻该基板中的一区域；以一材料填入该区域中，该材料与该基板材料不同；以及于该基板区域中以离子植入法形成光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 | ||
【主权项】：
一种光电元件，其特征在于，包含：基板；位于基板内的一区域，此区域的材料与该基板其它部份材料不同；以及以离子植入法形成于该基板区域中的光二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
