[发明专利]非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器有效
申请号: | 200910163261.4 | 申请日: | 2009-12-30 |
公开(公告)号: | CN102117816A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 史衍丽;姬荣斌;李凡;何雯瑾;邓功荣;杨瑞宇;康蓉;彭曼泽 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/09;G01J1/42;G01J5/10 |
代理公司: | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650223 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路,铝电极,下电极,光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极,铝电极上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极,下电极通过铝电极与读出电路连接,在读出电路、铝电极以及下电极三个部分的表面上设计有光敏层,在光敏层上沉积金属上电极。该探测器可用于红外波段和可见光波段。通过实验测试证明:本发明能简化焦平面探测器制造工艺,消除探测器芯片和读出电路两者的材料差异,避免探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变,使单片集成式焦平面探测器的可靠性得到显著改善,并使探测器具有较高的外量子效率。 | ||
搜索关键词: | 非晶碲镉汞 单片 集成 平面 探测器 | ||
【主权项】:
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路(1),铝电极(2),下电极(3),光敏层(4)和上电极(5)组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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