[发明专利]非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器有效

专利信息
申请号: 200910163261.4 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN102117816A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 史衍丽;姬荣斌;李凡;何雯瑾;邓功荣;杨瑞宇;康蓉;彭曼泽 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/09;G01J1/42;G01J5/10
代理公司: 昆明今威专利代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650223 *** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路,铝电极,下电极,光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极,铝电极上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极,下电极通过铝电极与读出电路连接,在读出电路、铝电极以及下电极三个部分的表面上设计有光敏层,在光敏层上沉积金属上电极。该探测器可用于红外波段和可见光波段。通过实验测试证明:本发明能简化焦平面探测器制造工艺,消除探测器芯片和读出电路两者的材料差异,避免探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变,使单片集成式焦平面探测器的可靠性得到显著改善,并使探测器具有较高的外量子效率。
搜索关键词: 非晶碲镉汞 单片 集成 平面 探测器
【主权项】:
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路(1),铝电极(2),下电极(3),光敏层(4)和上电极(5)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所,未经昆明物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910163261.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top