[发明专利]光电二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910160148.0 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964325A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘台徽;吴展兴 | 申请（专利权）人： | 太聚能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L31/18;H01L27/144;H01L31/101;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种光电二极管装置及其制造方法。此光电二极管装置包含吸光层，吸光层定义向光侧与背光侧；导孔穿透吸光层，导孔定义侧壁及底表面；共形绝缘层覆盖侧壁及底表面；第一图案化导电层，设置于吸光层的背光侧，第一图案化导电层具有第一部分覆盖共形绝缘层；第二图案化导电层，设置于吸光层的向光侧；及开口穿透共形绝缘层，其中第二图案化导电层填充开口以使第二图案化导电层连接第一图案化导电层的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电二极管装置的制造方法，包含：提供第一基板；形成吸光层于该第一基板上；形成导孔穿透该吸光层，该导孔暴露该第一基板，该导孔定义侧壁及底表面；形成共形绝缘层覆盖该侧壁及该底表面；形成第一图案化导电层于该第一基板上，该第一图案化导电层具有第一部分覆盖该共形绝缘层；提供第二基板；将该第二基板连接该第一图案化导电层；移除该第一基板以暴露该共形绝缘层；形成开口穿透该共形绝缘层以暴露出该第一图案化导电层的该第一部分；及形成第二图案化导电层于该吸光层上，其中该第二图案化导电层填充该开口以使该第二图案化导电层连接该第一图案化导电层的该第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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