[发明专利]阵列柔性焊柱连接蒸发冷却半导体器件封装无效
申请号: | 200910158009.4 | 申请日: | 2009-07-16 |
公开(公告)号: | CN101958297A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 王玉富 | 申请(专利权)人: | 王玉富 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/427 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102200 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列柔性焊柱连接蒸发冷却半导体器件封装,其特征在于所述阵列式连接半导体芯片和引线的焊柱为两端面熔接的集束金属丝,很好的消除了热应力,重力循环蒸发冷却的方式换热效率高,半导体管芯垂直安装利于冷媒循环,封装包括立式装配的半导体管芯和功率、控制引出线,便于生产,器件的封装密度大,易于整机的装配,如采用二次换热的方法更利于器件的更换和维修。 | ||
搜索关键词: | 阵列 柔性 连接 蒸发 冷却 半导体器件 封装 | ||
【主权项】:
一种蒸发冷却半导体器件封装,尤其是一种阵列焊柱连接蒸发冷却分立半导体功率器件封装,包括构成蒸发腔室的外壳、腔室内的器件管芯和周边的密封树脂,腔室内的器件管芯包括半导体芯片、板状引出线其特征在于所述半导体芯片和板状引出线由阵列柔性焊柱连接,所述柔性焊柱由细金属丝组合而成,横截面圆形或圆角方形为优选,两个端面由熔合或焊接形成固化金属薄层,厚度以0.2到0.6毫米为优选;
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