[发明专利]制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法有效
| 申请号： | 200910152060.4 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101694854A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朱长飞;罗派峰;杨文兵;江国顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法，包括以下步骤：制备前驱体料浆；利用所述前驱体料浆制备预制膜；硒化所述预制膜，得到黄铜矿结构的CIS薄膜。并且，利用本发明制备出的所述CIS薄膜成功制备出了电池器件。通过本发明可大面积均匀成膜，生产成本低，制程简单，易于大规模工业化生产，对CIS薄膜太阳能电池的发展具有重要推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 cis 薄膜 器件 真空 化学 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法，其特征在于，包括以下步骤：制备前驱体料浆；利用所述前驱体料浆制备预制膜；硒化所述预制膜，得到黄铜矿结构的CIS薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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