[发明专利]制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法

权利要求书

1.一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法， 其特征在于，包括以下步骤：

制备前驱体料浆；

利用所述前驱体料浆制备预制膜；

硒化所述预制膜，得到黄铜矿结构的CIS薄膜；

所述制备前驱体料浆，包括以下步骤：

按摩尔比为0.9∶1称取Cu、In的硝酸盐溶于有机溶剂甲中；

按1∶10的量称取增稠剂溶于有机溶剂乙中，制备具有不同 黏度的辅助溶胶调节黏度；

按重量比1∶2的比例混合甲乙两种溶液，充分搅拌均匀形成 溶胶；

在所述溶胶中加入硒粉增加稠度，经陈化得到Cu-In-Se黑色 溶胶。

2.如权利要求1所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学法合 成方法，其特征在于，所述有机溶剂甲和有机溶剂乙，可分别为 甲醇、乙醇、丙酮、戊醇、环己烷、苯、二氯乙烷、2-甲氧基乙醇 中的一种或其组合。

3.如权利要求1所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学法合 成方法，其特征在于，所述增稠剂为甲基纤维素、乙烯基纤维素、 羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、疏水性改质羟乙基纤维素、 聚乙烯醇、聚丙烯酰胺中的一种或其组合。

4.如权利要求1所述的制备CIS薄膜及器件的非真空液相化 学法合成方法，其特征在于，所述加入硒粉的量与铟的摩尔比为3∶ 1。

5.如权利要求1所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学法合 成方法，其特征在于，所述陈化工艺无需任何高温加热的动力学 过程。

6.如权利要求1所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学法合 成方法，其特征在于，所述制备预制膜，包括以下步骤：

清洗Mo玻璃基片，并用氮气吹干所述清洗好的Mo玻璃基片；

采用非真空旋涂工艺将所述前驱体料浆均匀涂覆在所述Mo 玻璃基片上制备成膜，其中，所述非真空旋涂工艺的旋转速率为 2000～3000转/秒；

将制备好的预制层置于红外灯下烘烤固化，并经电炉加热在 250℃下去除有机溶剂。

7.如权利要求1或6所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学 法合成方法，其特征在于，所述预制膜制备方法包括旋涂、刮涂、 喷涂、流延和印刷。

8.如权利要求1所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学法合 成方法，其特征在于，所述预制膜的硒化，采用两段式固态硒源 硒化工艺。

9.如权利要求8所述的制备CIS薄膜的非真空液相化学法合 成方法，其特征在于，所述两段式固态硒源硒化工艺为，在N2冲 洗后的密封真空石英管中，将所述硒粉至于250～300℃温区，将 所述预制膜置于500～550℃温区，硒化30～60分钟。