[发明专利]硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法有效
| 申请号： | 200910151828.6 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101613878A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张涛;万跃鹏;钟德京 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法。本发明将颗粒直径在0.1微米-100微米的硅粉冷等静压或热等静压成0.2克-2000000克的填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中；冷等静压的静压技术参数范围为：10-800MPa；热等静压的静压技术参数范围为：10-800MPa；温度技术参数范围为：30-1400℃。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 多晶 中的 应用 方法 | ||
【主权项】：
1、硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于：将颗粒直径在0.1微米-1000微米的硅粉冷等静压或热等静压成硅块后，放入硅晶体生长的炉中。
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