[发明专利]硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法

权利要求书

1.硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于：将颗粒直径在0.1微 米-100微米的硅粉冷等静压或热等静压成0.2克-2000000克的硅块后，放入 硅晶体生长的炉中，用于硅晶体生长的初始原料中的应用；其中的硅粉的纯度 在99.9％-99.9999999999％；冷等静压的静压技术参数范围为：10-800Mpa；热 等静压的静压技术参数范围为：10-800MPa；温度技术参数范围为：30-1400℃。

2.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法；其特征在于： 硅晶体生长是作为太阳能领域或半导体领域的硅晶体生长。

3.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 硅晶体生长的炉是用于生长单晶硅的单晶炉或用于生长多晶硅的多晶炉。

4.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 将颗粒直径在0.1微米-1000微米的硅粉冷等静压或热等静压成硅块后，放入 单晶炉或多晶炉中，用于太阳能领域或半导体领域的硅晶体生长的初始原料。

5.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 硅粉的纯度在99.99％-99.9999999％。

6.根据权利要求5所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 硅粉的纯度在99.999％-99.999999％。

7.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 按硅粉重量百分比0-10.000％比例添加粘合剂后再进行冷等静压或热等静压成 硅块。

8.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 热等静压的静压技术参数范围为：10-800MPa；温度技术参数范围为：50-500 ℃。

9.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 热等静压的静压技术参数范围为：10-800MPa；温度技术参数范围为：50-300 ℃。

10.根据权利要求1所述的硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法，其特征在于： 颗粒直径在0.1微米-1000微米的硅粉来源于西门子法、硅烷热分解法、四氯 化硅氢还原法中的任意一种。