[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200910145568.1 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101587870A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 両角朗 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L23/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 浦易文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：绝缘衬底；安装在绝缘衬底的第一主表面上的至少一个半导体元件；以及散热器，该散热器通过焊料构件结合到绝缘衬底的与其上安装有半导体器件的第一主表面相反的第二主表面，其中：该焊料构件包含至少锡和锑；并且焊料构件的锑含量在大于等于7％重量且小于等于15％重量的范围内。因而，半导体器件的可靠性得到改进。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：绝缘衬底；至少一个半导体元件，所述半导体元件安装在所述绝缘衬底的第一主表面上；以及散热器，所述散热器通过焊料构件结合到所述绝缘衬底的与其上安装有所述半导体元件的所述第一主表面相反的第二主表面，其中：所述焊料构件包含至少锡和锑；以及所述焊料构件的锑含量在大于等于7％重量且小于等于15％重量的范围内。
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