[发明专利]基板处理装置及其控制方法有效
| 申请号： | 200910145487.1 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101582378A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 工藤智之;小泽润;中村博;风间和典;守屋刚;中山博之;长池宏史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/677;G05B19/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：至少包括使用处理气体对被处理基板实施处理的真空处理室的多个室，其中，在各室之间可以交换所述被处理基板，和在所述多个室中，至少在产生压力差的室之间设置用于抑制因这些室之间的压力差产生的冲击波的冲击波抑制单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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