[发明专利]基板处理装置及其控制方法

说明书

本申请是2005年10月28日提出的申请号为200510118834.3的的分案申请。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及其运行程序和控制方法、以及用于存储该程序的计算机可读存储介质。

背景技术

基板处理装置是通过连接多个室而构成的。作为这种室，例如有输送室，其被设置于在大气压状态下在输送室与外部之间进行被处理基板(例如半导体晶片(下面简称为“晶片”))交换的输送单元上；对晶片进行蚀刻或者成膜等规定的处理的真空处理室；连接在该真空处理室和上述输送室之间的真空准备室(例如预载室)等。这些室之间分别经由闸阀而连接成密封状态。

基板处理装置在这些室之间进行晶片的输送，并同时在真空处理室内对晶片进行处理。作为在具有上述室的基板处理装置中的一般的晶片的流程如下所述。例如，晶片从外部被输送到上述输送室。然后，晶片经过真空准备室而被输送到真空处理室。然后，在真空处理室中利用规定的处理气体对晶片进行处理，例如进行蚀刻或者成膜等处理。当在真空处理室中的处理结束之后，使晶片通过真空准备室而返回到输送室。在真空准备室和输送室之间进行的晶片的交换过程中，在使真空准备室例如向大气开放等而形成规定的压力后，打开室之间的闸阀来进行晶片在真空准备室和输送室之间的交换。此外，当在真空准备室和真空处理室之间进行晶片的交换时，例如进行真空准备室的真空抽空等而形成规定的压力，打开室之间的闸阀来进行晶片在真空准备室和真空处理室之间的交换。换句话说，当如所述这样在各室之间交换晶片时，为了减少室之间的压力差，对各室进行控制，使得其为规定的压力。

然而，根据各室的压力状态，在打开室之间的闸阀时，会产生各种各样的问题。例如，当打开闸阀时，残留在真空处理室中的处理气体产生逆流，水分等的污染从输送室流入，在各室内卷起微粒(堆积物、灰尘等)。因此，会产生晶片被微粒和污染物所污染的问题，或者因腐蚀性处理气体向其他室逆流而产生该室的结构部件被腐蚀的问题。

因此，现在在打开闸阀之前，采用各种方法和各种结构对室内的压力进行控制。例如，当打开在输送室和真空准备室之间的闸阀而使真空准备室向大气开放时，以预先除去真空准备室中的微粒为目的，有一边向真空准备室提供N₂气体等净化气体，一边进行排气的技术(例如参照日本专利特开H3-87386号公报)。

此外，在使多个真空处理室连接在共用输送室上，在该共用输送室上连接真空准备室(预载室)的所谓的组合台型的基板处理装置中，还有一种技术(例如参照日本专利特开H7-211761号公报)，当在共用输送室和真空处理室或者预载室之间打开闸阀时，通过向共同输送室提供N₂气体等的净化气体，以使共用输送室的压力比真空处理室或者预载室稍高，从而形成向着真空处理室或者预载室的气流，通过这样来防止处理气体和水分等的污染流向共用输送室。

发明内容

然而，在上述现有技术中，在打开室之间的闸阀时，为了防止处理气体和交叉污染的逆流以及为了除去微粒，在提供N₂气体等的净化气体的同时对各室之间的压力进行调整而在室之间产生压力差。

由于这样在室之间产生的压力差，而导致在打开闸阀时产生气流，从而在室内随着该气流而卷起微粒的问题。特别是，若室之间的压力差大，则会产生冲击波(压缩性流体在高速下流动时，超过声速传递的非常强的压力波)，由于该冲击波的传递而成为在室内卷起微粒的主要原因。

就该点而言，认为若能够稍稍降低室之间的压力差，则可以抑制微粒的卷起。然而，近年来，随着密封技术的改进，各室的密封性能比以往有所提高。因此，用现有的压力控制的顺序，例如利用导入净化气体来使室内的压力上升到必要程度以上，存在有变成比实际需要在室之间产生的压力差大的问题。

此外，例如也可以一边正确地检测所有室的压力，一边正确地控制压力，使得室之间的压力差不会过大。但是，为了正确地进行压力控制而需要价格昂贵的压力计和控制仪器，因此成本高，同时使压力控制的顺序变得复杂，不实用。

而且，在日本专利特开H7-211761号公报中还记载有在各室之间设置有可以开关的旁通路，通过在打开闸阀前打开该旁通路来减小室之间的压力差，以防止在打开闸阀时产生气体的剧烈的流动(冲击波)的结构。可是，在打开旁通路时，由于在室之间产生压力差的原因，即使在闸阀被打开之前，因为在打开旁通路时产生冲击波，所以，该冲击波也有可能在室中传播，从而成为卷起微粒的原因。