[发明专利]使用选择沉积工艺制造MOSFET器件的方法

摘要

本发明提供用以沉积含硅材料的方法，例如选择性外延沉积一含有高掺杂剂浓度的硅锗材料的方法。在一实施例中，将一衬底暴露在至少两种不同的工艺气体中以沉积一层在另一层顶部。一种工艺气体含二氯硅烷、一锗源及一蚀刻剂，另一种工艺气体含硅烷及一蚀刻剂。在其它实施例中，一工艺气体包含二氯硅烷、甲基硅烷、及氯化氢，或是含硅烷、甲基硅烷及氯化氢。在一方案中，一沉积层在其晶格中具有间隙位置且在该间隙位置中包含约3原子％或更少量的碳，且后续经过退火以将至少一部分碳并入该晶格的取代位置。在另一方案中，一硅锗积层具有一分别含有约25原子％或更少、约25原子％或更多及约5原子％的锗的第一、第二及第三层。

主权项

1.一种在衬底表面上生成以硅为主的材料的方法，其特征在于，包含：将一衬底暴露在一第一工艺气体下以在该衬底上选择性地并且外延成长地沉积出一第一含硅层，该第一工艺气体包含硅烷、一碳源、一第一蚀刻剂及氢气；以及将该衬底暴露在一第二工艺气体下以在该第一含硅层上选择性地并且外延成长地沉积出一第二含硅层，该第二工艺气体包含二氯硅烷及一第二蚀刻剂。