[发明专利]氮化物系发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910142480.4 | 申请日： | 2005-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101582481A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 国里龙也;广山良治;畑雅幸;太田洁 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物系发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系发光元件的制造方法，其特征在于，具有：在生长用基板上形成由InGaN形成的分离层，在所述分离层上形成氮化物系半导体元件层的工序，其中所述氮化物系半导体元件层包含与所述分离层接触且由GaN或AlGaN形成的n型接触层和在所述n型接触层上形成的n型包层；在所述氮化物系半导体元件层的元件分离区域形成沟槽部的工序；在形成有所述沟槽部的所述氮化物系半导体元件层上接合导电性基板的工序；以及在所述氮化物系半导体元件层上接合有所述导电性基板的状态下，使所述分离层上侧的所述氮化物系半导体元件层与所述分离层下侧的所述生长用基板分离的工序，在从所述氮化物系半导体元件层分离所述生长用基板的工序中，在所述分离层上，通过使从所述生长用基板侧照射的规定波长的光被吸收，使所述分离层上侧的所述氮化物系半导体元件层与所述分离层下侧的所述生长用基板分离。
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