[发明专利]电容结构及其金属层布局有效
| 申请号： | 200910140735.3 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101593777A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 邱致荣;陈文淋 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L23/52;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电容结构及其金属层布局。其中电容结构包含：第一金属层，包含：第一框结构；以及第一条形接片，位于该第一框结构并隔离在该第一框结构内；第二金属层包含：第二框结构；以及第二条形接片，位于该第二框结构并隔离在该第二框结构内；电介质层，形成于该第一金属层与该第二金属层之间。本发明提供的电容结构可以达到更大的单位电容值，且上述电容结构主框可提供额外的屏蔽效应，使本发明的电容结构达到更佳的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 金属 布局 | ||
【主权项】：
1.一种电容结构，包含：第一金属层，包含第一框结构和第一条形接片，其中，该第一条形接片位于该第一框结构并隔离在该第一框结构内；第二金属层，包含第二框结构和第二条形接片，其中，该第二条形接片位于该第二框结构并隔离在该第二框结构内；以及电介质层，形成于该第一金属层与该第二金属层之间。
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