[发明专利]非易失存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种非易失存储单元，包括：源区和漏区，设置在半导体衬底中并彼此分隔开；源极选择线和漏极选择线，设置在该源区和漏区之间的半导体衬底上方。该源极选择线和漏极选择线分别与源区和漏区相邻设置。该非易失存储单元还包括单元栅极图案，设置在源极选择线与漏极选择线之间的半导体衬底上方；第一浮置杂质区，设置在位于源极选择线和单元栅极图案之间的间隙区下面的半导体衬底中；和第二浮置杂质区，设置在位于漏极选择线和单元栅极图案之间的间隙区下面的半导体衬底中。该单元栅极图案和选择线之间的距离小于选择线的宽度。

主权项

1.一种非易失存储单元的制造方法，包括：在半导体衬底上形成初级栅极图案；形成堆叠在所述初级栅极图案上的栅极间绝缘层和字线图案；在所述字线图案的两侧壁上形成第一牺牲分隔件；使用所述第一牺牲分隔件和字线图案作为蚀刻掩模蚀刻所述初级栅极图案，以形成栅极图案；除去所述第一牺牲分隔件；在所述栅极图案的两端上分别形成第一和第二硬掩模图案，所述第一和第二硬掩模图案平行于所述字线图案形成；和使用所述字线图案和硬掩模图案作为掩模蚀刻所述栅极图案，以分别形成字线图案下方的浮置栅极、源极选择线和漏极选择线、以及第一硬掩模图案和第二硬掩模图案，其中所述浮置栅极、栅极间绝缘层图案和字线图案构成单元栅极图案。