[发明专利]利用升高电压的静态随机访问存储器有效

专利信息
申请号: 200910139300.7 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN101599300A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: S·佩里塞蒂 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: G11C11/41 分类号: G11C11/41;G11C11/413
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及利用升高电压的静态随机访问存储器。具体地,提供了双端口存储器元件和存储器阵列电路。该存储器阵列电路可以包括在读操作和写操作期间将阵列中存储器元件的列的电源线切换至适当电源电压的电路。每个存储器元件可以包括在读操作和写操作期间在电源电压之间进行选择的电路。在读操作期间,提升的电源电压可以为存储器元件中存储数据的交叉耦合倒相器供电,同时可以使用未提升的电压来导通相关联的地址晶体管。在写操作期间,未提升的电压可以为交叉耦合倒相器供电,同时可以使用提升的电压来导通相关联的地址晶体管。
搜索关键词: 利用 升高 电压 静态 随机 访问 存储器
【主权项】:
1.一种静态随机访问存储器,包括:多个存储器元件,每个存储器元件具有正电源端子以及至少一个具有栅极的地址晶体管,以及电路,其向所述存储器元件中的至少一些存储器元件的所述地址晶体管的所述栅极提供地址信号,并且向这些存储器元件的所述正电源端子提供正电源信号,其中,提供的所述地址信号和所述正电源信号具有不同的电压。
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