[发明专利]利用升高电压的静态随机访问存储器

权利要求书

1.一种静态随机访问存储器，包括：

多个存储器元件，每个存储器元件具有正电源端子、至少一个具 有栅极的地址晶体管以及一对交叉耦合倒相器，以及

电路，操作用于向所述存储器元件中的至少一些存储器元件的所 述地址晶体管的所述栅极提供地址信号，并且向这些存储器元件的 所述正电源端子提供正电源信号，其中所述电路在所述多个存储器 元件中的每个存储器元件中包括两个晶体管，所述两个晶体管操作 用于由所述地址信号控制并且操作用于根据所述地址信号选择性地 为所述一对交叉耦合倒相器供电，其中所述地址信号和所述正电源 信号具有不同的电压，并且其中所述电路操作用于以由所述地址信 号控制的电压电平向所述多个存储器元件提供所述正电源信号。

2.根据权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述多个 存储器元件包括双端口存储器元件。

3.根据权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述多个 存储器元件包括由可变正电源电压供电的存储器元件阵列。

4.根据权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述电路 包括读写控制电路，其在存储器写操作期间以大于所述正电源信号 的电压向所述地址晶体管的所述栅极提供所述地址信号。

5.根据权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述电路 包括读写控制电路，其在存储器读操作期间以小于所述正电源信号 的电压向所述地址晶体管的所述栅极提供所述地址信号。

6.根据权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述电路 包括电源电路，其在存储器读操作期间升高所述正电源信号的电压。

7.根据权利要求1所述的静态随机访问存储器，其中所述电路 在存储器读操作期间升高所述正电源信号的电压，并且在存储器写 操作期间降低所述正电源信号的所述电压。

8.根据权利要求7所述的静态随机访问存储器，其中所述两个 晶体管形成多路器，所述多路器具有接收不同的相应第一电源电压 和第二电源电压的第一输入和第二输入，并且对所述地址信号做出 响应，其中所述多路器具有提供所述正电源信号的输出。

9.根据权利要求7所述的静态随机访问存储器，其中所述多个 存储器元件包括双端口存储器元件。

10.一种通过一对位线来写数据的方法，其中多个静态随机访问 存储器元件通过相应的地址晶体管耦合至所述一对位线，其中在存 储器元件读操作期间，利用提升的电源电压向所述多个存储器元件 中的每个存储器元件供电，所述方法包括：

降低所述存储器元件中一个选定存储器元件的电源电压；

断言字线信号，以导通与所述存储器元件中的所述一个选定存储 器元件相关联的所述地址晶体管，同时降低所述存储器元件中的所 述一个选定存储器元件的所述电源电压；

使用所述一对位线将数据载入所述存储器元件中的所述一个选 定存储器元件；以及

在加载所述数据之后，解断言所述字线信号，以截止与所述存储 器元件中的所述一个选定存储器元件相关联的所述地址晶体管。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个存储器元件中 的每个存储器元件包括：一对交叉耦合倒相器，以及两个晶体管， 所述两个晶体管由所述字线信号控制，并且基于所述字线信号选择 性地为所述交叉耦合倒相器供电，并且其中，降低所述存储器元件 中的所述一个选定存储器元件的所述电源电压包括：将提升的字线 信号应用于所述两个晶体管，以利用未提升的电源电压选择性地为 所述存储器元件中的所述一个选定存储器元件中的所述交叉耦合倒 相器供电。