[发明专利]静电放电防护装置有效
申请号: | 200910139196.1 | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101887894A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 杜尚晖;蔡宏圣 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/06;H01L23/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种静电放电防护装置,包括一衬底、一第一掺杂区、一第一栅极、一第二掺杂区、一第二栅极以及一第三掺杂区。衬底具有一第一导电型态。第一掺杂区具有一第二导电型态,并形成于衬底之中。第一栅极形成于衬底之上。第二掺杂区具有第二导电型态,并形成于衬底之中。第一、第二掺杂区以及第一栅极构成一晶体管。第二栅极形成于衬底之上,并与第一栅极彼此隔离。第三掺杂区具有第一导电型态,形成于衬底之中,并与第二掺杂区相互隔离。第一、第三掺杂区以及第二栅极构成一放电元件。本发明的静电放电防护装置能有效地保护集成电路,避免其因为偶然的ESD事件而损毁,同时不增加电路布局的复杂性。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 防护 装置 | ||
【主权项】:
一种静电放电防护装置,其特征在于,所述静电放电防护装置包括:一衬底,具有一第一导电型态;一第一掺杂区,具有一第二导电型态,并形成于所述衬底之中;一第一栅极,形成于所述衬底之上;一第二掺杂区,具有所述第二导电型态,并形成于所述衬底之中,其中所述第一、第二掺杂区以及所述第一栅极构成一晶体管;一第二栅极,形成于所述衬底之上,并与所述第一栅极彼此隔离;以及一第三掺杂区,具有所述第一导电型态,形成于所述衬底之中,并与所述第二掺杂区相互隔离,其中所述第一、第三掺杂区及所述第二栅极构成一放电元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的