[发明专利]静电放电防护装置

权利要求书

1.一种静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置包括：

一衬底，具有一第一导电型态；

一第一掺杂区，具有一第二导电型态，并形成于所述衬底之中；

一第一栅极，形成于所述衬底之上；

一第二掺杂区，具有所述第二导电型态，并形成于所述衬底之中，其中所述第一、第二掺杂区以及所述第一栅极构成一晶体管；

一第二栅极，形成于所述衬底之上，并与所述第一栅极彼此隔离；以及

一第三掺杂区，具有所述第一导电型态，形成于所述衬底之中，并与所述第二掺杂区相互隔离，其中所述第一、第三掺杂区及所述第二栅极构成一放电元件。

2.如权利要求1所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置还包括一第四掺杂区，其具有所述第一导电型态，并形成于所述衬底之中，用以隔离所述第二及第三掺杂区，所述第四掺杂区还隔离所述第一及第二栅极，所述第一导电型态为P型，所述第二导电型态为N型。

3.如权利要求1所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述晶体管为一横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述放电元件为一绝缘栅双极型晶体管，其中所述第一掺杂区作为所述晶体管的源极，所述第二掺杂区作为所述晶体管的漏极，所述第一掺杂区作为所述放电元件的源极，所述第三掺杂区作为所述放电元件的漏极。

4.如权利要求1所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置还包括一金属层，电连接所述第二栅极以及所述第一掺杂区。

5.如权利要求1所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置还包括一接触垫，形成于所述第二掺杂区之上。

6.如权利要求1所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置还包括：

一第一场氧化层，形成于所述第一栅极与所述第二掺杂区之间；以及

一第二场氧化层，形成于所述第二栅极与所述第三掺杂区之间，其中所述第二场氧化层的宽度小于或等于所述第一场氧化层的宽度，所述第一及第二场氧化层彼此隔离。

7.一种静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置包括：

一衬底，具有一第一导电型态；

一第一掺杂区，具有一第二导电型态，并形成于所述衬底之中；

一第一栅极，形成于所述衬底之上；

一第二掺杂区，具有所述第二导电型态，并形成于所述衬底之中，其中所述第一、第二掺杂区以及所述第一栅极构成一晶体管；

一第三掺杂区，具有所述第一导电型态，形成于所述衬底之中，并与所述第二掺杂区相互隔离；以及

一第四掺杂区，具有所述第二导电型态，形成于所述衬底之中，并与所述第二掺杂区相互隔离，其中所述第一、第三、第四掺杂区与所述第二栅极构成一放电元件。

8.如权利要求7所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置还包括：

一第五掺杂区，具有所述第一导电型态，并形成于所述衬底之中，用以隔离所述第二及第三掺杂区，以及隔离所述第二及第四掺杂区；以及

一金属层，电连接所述第三及第四掺杂区，其中所述第一导电型态为P型，所述第二导电型态为N型。

9.如权利要求7所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述晶体管为一横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述放电元件为一硅控整流器，其中所述第一掺杂区作为所述晶体管的源极，所述第二掺杂区作为所述晶体管的漏极，所述第一掺杂区作为所述放电元件的源极，所述第三及第四掺杂区作为所述放电元件的漏极。

10.如权利要求7所述的静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置还包括：

一金属层，电连接所述第二栅极以及所述第一掺杂区；

一接触垫，形成于所述第二掺杂区之上；

一第一场氧化层，形成于所述第一栅极与所述第二掺杂区之间；以及

一第二场氧化层，形成于所述第二栅极与所述第四掺杂区之间，其中所述第二场氧化层的宽度小于或等于所述第一场氧化层的宽度，所述第一及第二场氧化层彼此隔离。